Investigadors de l'Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2) han aconseguit demostrar que es pot generar electricitat doblegant materials semiconductors. La flexoelectricitat es produeix com a conseqüència de la redistribució d'àtoms i electrons quan es doblega un material, cosa que es pot aprofitar per crear un corrent elèctric. La investigació de l'ICN2, publicada a la revista Nature, ha aconseguit demostrar que els materials semiconductors són capaços de generar molta més electricitat que els aïllants.
